Star Semiconductor Tarafından Önerilir - P6 SiC MOSFET: Verimli Enerji Dönüşümü İçin Üretilmiştir

P6 SiC MOSFET güç modülü, Star Semiconductor tarafından tanıtılan, özellikle elektrikli araçlar, endüstriyel güç elektroniği ve yenilenebilir enerji kaynakları gibi birçok alanda mükemmel performans gösteren, geniş uygulanabilirliğe sahip yüksek performanslı bir güç modülüdür.

Ürün Açıklaması

P6 SiC MOSFET güç modülleri, 1200V ve 750V olmak üzere iki voltaj sınıfında mevcuttur. 1200V modül için RDS(on) değerleri 2,9mΩ ve 2,2mΩ, 750V modül için ise 1,7mΩ ve 1,3mΩ'dur. Bu modüller, yongalar arasındaki akım dengesini sağlamak için seri kapı dirençleriyle birlikte paralel olarak birden fazla SiC yongası ile tasarlanmıştır. Modüller, yongalar arasında akımın dengeli olmasını sağlamak için seri olarak bağlanmış kapı dirençleriyle paralel olarak birden fazla SiC yongası ile tasarlanmıştır. Salınımı önlemek için modüller, sistem kararlılığını sağlamak amacıyla düşük endüktans ile tasarlanmıştır. Çıkış akımı açısından, 1200V modülün çıkış akımı aralığı 480A ila 640A iken, 750V modülün çıkış akımı aralığı 485A ila 630A'dır. Üretim süreci açısından, SiC yongaları çift taraflı gümüş macun sinterleme ve bakır tel bağlama kullanır, bu sadece bağlantının güvenilirliğini iyileştirmekle kalmaz, aynı zamanda elektriksel performansı da optimize eder. Ek olarak, modül yalıtım alt tabakası olarak silikon nitrür (Si3N4) kullanır ve mükemmel ısı dağılımı sağlayan ve çalışma sıcaklığını etkili bir şekilde azaltan bir PINFIN ısı emici ile donatılmıştır. Özellikle, modül 175°C AQG-324 güvenilirlik sertifikasını geçmiştir ve 175°C'ye kadar birleşme sıcaklığı ortamında uzun vadeli kararlı çalışma yeteneğine sahiptir.

P6 SiC MOSFET Güç Modülleri için Uygulama Senaryoları

Elektrikli araçlar alanında, P6 SiC MOSFET modülleri ana tahrik invertörlerinde, yerleşik şarj cihazlarında ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Yüksek verimlilikleri, aküden gelen DC gücünün motorun ihtiyaç duyduğu AC gücüne verimli bir şekilde dönüştürülmesini sağlar ve böylece menzili artırır. Aynı zamanda, SiC malzemelerin yüksek sıcaklık direnci, bu modüllerin aşırı ortamlarda kararlı bir şekilde çalışmasını sağlayarak elektrikli araçların yüksek sıcaklık çalışma gereksinimlerine uyum sağlar. Ayrıca, SiC MOSFET'lerin yüksek güç yoğunluklu tasarımı, modül boyutunda ve ağırlığında önemli azalmalara olanak tanır ve elektrikli araçların hafif tasarımına katkıda bulunur.

Endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında, P6 SiC MOSFET modülleri yüksek verimli anahtarlama güç kaynaklarında, invertörlerde ve frekans dönüştürücülerde kullanılır. Bu modüller, motor başlatma, durdurma ve hız düzenlemesini etkili bir şekilde kontrol etmek için yüksek anahtarlama frekanslarını destekler ve böylece sistem verimliliğini ve kararlılığını artırır. Modüllerin düşük endüktans tasarımı, salınım sorunlarını etkili bir şekilde önler ve çok çeşitli endüstriyel ekipmanlar için sistem güvenilirliğini sağlar.

Yenilenebilir enerjide, P6 SiC MOSFET modülleri güneş invertörlerinde ve rüzgar gücü dönüştürücülerinde önemli bir rol oynar. Düşük enerji kaybı özellikleri, güç dönüşüm verimliliğinde önemli bir artış sağlayarak güneş ve rüzgar enerjisini etkili bir şekilde kullanılabilir güce dönüştürür. Bu, yalnızca yenilenebilir enerji sistemlerinin genel verimliliğini iyileştirmekle kalmaz, aynı zamanda çevre dostu ve sürdürülebilir gelişimi de teşvik eder.

Özet

Özetle, yüksek verimlilik, yüksek sıcaklık dayanımı ve düşük kayıp avantajları ile P6 SiC MOSFET güç modülü, elektrikli araçlar, endüstriyel güç elektroniği ve yenilenebilir enerji alanlarında vazgeçilmez ve önemli bir bileşen haline gelmiş, modern güç elektroniği teknolojisinin ilerlemesini ve uygulanmasını yönlendirmiştir.

Önde gelen bir güç yarı iletken çözüm sağlayıcısı olarak STAR Semiconductor Corporation, IGBT ve SiC modüllerinin araştırma, geliştirme, üretim ve satışına odaklanmaktadır. 2005 yılında kurulduğundan bu yana STAR Semiconductor, mükemmel teknik gücü ve inovasyon yeteneğiyle hızla bir endüstri lideri haline gelmiştir. Ürünlerimiz yeni enerji araçlarında, endüstriyel kontrolde, yeni enerjide ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır ve küresel enerji verimliliğinin iyileştirilmesini teşvik etmeye kararlıdır.

P6 SiC MOSFET güç modülleri hakkında sıkça sorulan sorular ve cevapları aşağıdaki gibidir:

1.Birden fazla SiC MOSFET'i paralel kullanırken nelere dikkat etmeliyim?

Termal kaçağı önlemek için yeterli gerilim ayrıştırmanın dikkate alınması gerekir

Arıza gerilimi nedeniyle oluşabilecek hasarı önlemek için anahtarlama zamanlaması eşleştirilmelidir

Düşük eşik voltaj toleransı, son derece simetrik anahtarlama davranışı elde etmeye yardımcı olur

2.SiC MOSFET'ler için kapı sinyali endüktans gereksinimleri nelerdir?

Belirli bir kılavuz olmamasına rağmen, cihaz kapısı terminallerinden kapı sürücü devresinin PC terminallerine kadar olan kablolamanın uzunluğu en büyük etkiye sahiptir

Cihaz kaynak pinlerinden kart topraklama düzenine kadar olan kablolama endüktansının da dikkate alınması gerekir

3.SiC MOSFET’lerin kapı şarj parametrelerinin özellikleri nelerdir?

Düşük kapı yükü (QG), anahtarlama kayıplarını ve kapı sürücü güç tüketimini azaltır

Sızıntı kapısı şarjının (QGD) kapı kaynağı şarjına (QGS) oranı da önemlidir ve kararlılığın sağlanması için QGD, QGS'den düşük olmalıdır.

4.SiC MOSFET'in ileri gerilim düşüşünün özellikleri nelerdir?

SiC'nin bant aralığı Si'nin 3 katıdır, bu da pn diyotunun yükselme voltajında yaklaşık 3V'luk bir artışa neden olur

Ancak köprü devrelerinde, komütasyon sırasında bir kapı AÇIK sinyali girilebileceğinden, önemli sabit durum kayıpları bir sorun olmamalıdır.

5.SiC MOSFET’lerin kullanımı Si IGBT’lere kıyasla ne gibi değişikliklere yol açar?

Yüksek frekanslı çalışma, cihaz boyutunun ve ağırlığının azaltılması ve güç dönüşüm verimliliğinin iyileştirilmesi sağlanabilir

Kapatma kaybında ve açma kaybında sırasıyla %65 azalma

Harici diyot gerekmediğinden parazitik endüktans azalır ve güvenilirlik artar.

Sorumluluk Reddi: Bu sayfada verilen bilgiler yalnızca bilgilendirme amaçlıdır ve bilgilerin doğruluğunu veya eksiksizliğini garanti etmiyoruz ve kullanımından kaynaklanan herhangi bir kayıp veya hasar için sorumluluk kabul etmiyoruz.